[24p-12G-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[24p-12G-6] 高電子熱伝導率LaNiO₃薄膜を活性層とする全固体熱トランジスタの作製

〇(M1)吉村 充生¹、李 好博²、卞 志平¹、ジョン アロン³、曲 勇作³、田中 秀和²、太田 裕道³ (1.北大院情報、2.阪大産研、3.北大電子研)

キーワード：

熱トランジスタ,熱伝導率,LaNiO3

電気化学的に活性層の熱伝導率をon/off切換える「熱トランジスタ」は、熱のディスプレイなどの熱マネジメントデバイスとして期待されている。我々は2023年にSrCoO_x薄膜を活性層とした世界初の全固体熱トランジスタを実現したが、熱伝導率の変化幅が2.8 W m^-1 K^-1しかないという問題があった。本研究では、on状態の時に高い電子熱伝導率が期待されるLaNiO₃薄膜を活性層とすることで、熱導電率の変化幅が4.3 W m^-1 K^-1の全固体熱トランジスタの作製に成功した。