Presentation Information
[24p-12M-2]Fabrication of high quality carrier select ive contact layer using a Si :H deposition with PECVD and thermal process
〇Tomihisa Tachibana1, Kastuhiko Shirasawa1, Katsuto Tanahashi1, Yuuki Yuasa2, Norikazu Itou2, Teppei Yamashita2, Kenji Fukuchi2, Yuuta Irie2, Hiroaki Takahashi2, Kouichirou Niira2 (1.AIST, 2.Kyocera)
Keywords:
Crystalline silicon solar cell,TOPCon,PECVD
キャリア選択型電極構造太陽電池は高いセル特性を示すことが良く知られている。特に、酸化膜とポリシリコン層を積層したTOPCon 構造は高温工程でも利用可能なことから次世代の生産品として期待されている。ポリシリコン層の形成にはLPCVD, PECVD, PVD 法などが検討されているが、それぞれ一長一短の特徴を持つ。特にPECVD 法においては、製膜時およびその後の熱処理工程においてブリスターと呼ばれる欠陥が発生してしまうことが課題の一つである。本研究では、PECVD法を用いたTOPCon 構造の形成において、ブリスターを完全に抑制することに成功した。また、両面対称構造を形成した試料において結晶化温度とパッシベーション特性の関係について評価を行った結果について報告する。