講演情報
[24p-12M-2]PECVD法によるアモルファスシリコン製膜と熱処理工程による高品質キャリア選択型電極層の形成
〇立花 福久1、白澤 勝彦1、棚橋 克人1、湯浅 友樹2、伊藤 憲和2、山下 鉄平2、福地 健次2、入江 祐太2、髙橋 宏明2、新楽 浩一郎2 (1.産総研、2.京セラ)
キーワード：
結晶シリコン太陽電池,TOPCon,PECVD
キャリア選択型電極構造太陽電池は高いセル特性を示すことが良く知られている。特に、酸化膜とポリシリコン層を積層したTOPCon 構造は高温工程でも利用可能なことから次世代の生産品として期待されている。ポリシリコン層の形成にはLPCVD, PECVD, PVD 法などが検討されているが、それぞれ一長一短の特徴を持つ。特にPECVD 法においては、製膜時およびその後の熱処理工程においてブリスターと呼ばれる欠陥が発生してしまうことが課題の一つである。本研究では、PECVD法を用いたTOPCon 構造の形成において、ブリスターを完全に抑制することに成功した。また、両面対称構造を形成した試料において結晶化温度とパッシベーション特性の関係について評価を行った結果について報告する。