[24p-12M-1~21] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[24p-12M-3] Carrier-selective passivating contact induced by a metal/ultrathin Al-doped SiO_x contact on a p-type crystalline Si surface

〇(D)Hiroki Nakajima¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

Passivating contact,Ultrathin oxide,Wet process

p型Si (p-Si) 基板をAl(NO₃)₃水溶液に浸漬させるだけで、Si表面に超極薄のAlドープSiO_x膜が形成され、400 µs以上の実効少数キャリア寿命が観測された。さらに、Al電極を蒸着して作製したMetal–Insulator–Semiconductor (MIS) 構造にて、良好なダイオード特性が得られた。これらの結果は、AlドープSiO_x膜を介したAlの接触が、n型反転層の形成に寄与していることを示唆している。発表では、MIS型太陽電池の試作結果を示し、p-Si表面に対するAlドープSiO_x膜の有効性を議論する。