講演情報
[24p-12M-3]金属/超極薄AlドープSiOx接触により誘起したp型結晶Si表面でのキャリア選択パッシべーティングコンタクト
〇(D)中島 寛記1、Huynh Thi Cam Tu1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
パッシベーティングコンタクト,極薄酸化膜,湿式法
p型Si (p-Si) 基板をAl(NO3)3水溶液に浸漬させるだけで、Si表面に超極薄のAlドープSiOx膜が形成され、400 µs以上の実効少数キャリア寿命が観測された。さらに、Al電極を蒸着して作製したMetal–Insulator–Semiconductor (MIS) 構造にて、良好なダイオード特性が得られた。これらの結果は、AlドープSiOx膜を介したAlの接触が、n型反転層の形成に寄与していることを示唆している。発表では、MIS型太陽電池の試作結果を示し、p-Si表面に対するAlドープSiOx膜の有効性を議論する。