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[24p-12M-7]Exploration of deposition conditions of n-a-Si using Bayesian optimization for SHJ solar cell applications

〇(M2)Ryota Ohshi1, Kentao Kutsukake2, Huynh Thi Cam Tu1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST, 2.RIKEN)

Keywords:

Catalytic chemical vapor deposition,Bayesian optimization,Passivation

ベイズ最適化を用いて少ない試行回数で良好なパッシベーション性能を持つn型非晶質Si(n-a-Si)の堆積条件探索を行った。この堆積条件探索では,「膜厚10 nmに固定」,「実現不可能な堆積条件の排除」,「10-4 S/cm以上の導電率」という制約を加えて,実効少数キャリア寿命(τeff)の最大化を試みた。その結果,19回目のベイズ最適化サイクルにおいて5.4 msを超えるτeffが得られ,21回のサイクルでn-a-Siの堆積条件探索は完了した。