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[24p-1BJ-8]Electronic state of powdered semiconductor r-BS studied by micro-ARPES

〇Katsuaki Sugawara1,2,3, Haruki Kusaka4, Tappei Kawakami1, Koki Yanagizawa1, Asuka Honma1, Seigo Souma2,5, Kosuke Nakayama1, Masashi Miyakawa6, Takashi Taniguchi6,7, Miho Kitamura8, Koji Horiba9, Hiroshi Kumigashira10, Takashi Takahashi1, Shin-ichi Orimo2,11, Masayuki Toyoda12, Susumu Saito12, Takahiro Kondo2,4, Takafumi Sato1,2,5,13 (1.Dept. Phys., Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 3.JST-PRESTO, 4.Dep. Mater. Sci., Univ. Tsukuba, 5.CSIS, Tohoku Univ., 6.NIMS, 7.NIMS-MANA, 8.KEK-IMSS-PF, 9.QST, 10.IMRAM, Tohoku Univ., 11.IMR, Tohoku Univ., 12.Dep. Phys., Tokyo Tech., 13.SRIS, Tohoku Univ.)

Keywords:

powdered material,layer semiconductor,micro-ARPES

ホウ素と硫黄で構成されたBSシートが積層したr-BSは、菱面体構造を持つ半導体材料として近年注目を集めている。一方、試料サイズが20μm程度の粉状であるため、その電子状態は従来のARPESでは直接観測が困難であり未解明なままであった。そこで今回我々は、KEK-PFのビームラインBL-28Aで建設したマイクロARPES装置を用いてr-BSの電子状態の測定を行った。講演では半導体的電子状態の直接観測に成功した結果について報告する。