[24p-52A-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)

[24p-52A-1] Performance improvement of GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO₂ mask for regrowth

〇JIAWEI FAN¹, Miyamoto Yasuyuki¹, Arai Masakazu² (1.Tokyo Tech., 2.Miyazaki Univ.)

Keywords:

regrowth,Tunneling FET

GaAsSb/InGaAsトンネルFET(TEFT)は、スティープスロープデバイスとして有望であるが、平面型のチャネルと合わせる場合には、横方向のヘテロ接合を選択的な再成長によって作製されなければならない。我々は前回の応物でGaAsSbの低温再成長において、GaAsSbよりも厚いSiO₂マスクを用いることで、異常成長粒子の密度を下げることができ、最小SS値が550mv/decのTFETsを報告した。本報告では、ウエハ構造/プロセスの改善、PMAの実施を行い特性の改善を図った。