[24p-52A-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:00 〜 13:15

[24p-52A-1] 厚いSiO₂マスクを用いた再成長によるGaAsSb/InGaAsトンネルFETの改善

〇范 珈偉¹、宮本 恭幸¹、荒井 昌和² (1.東工大、2.宮崎大)

キーワード：

再成長,トンネルFET

GaAsSb/InGaAsトンネルFET(TEFT)は、スティープスロープデバイスとして有望であるが、平面型のチャネルと合わせる場合には、横方向のヘテロ接合を選択的な再成長によって作製されなければならない。我々は前回の応物でGaAsSbの低温再成長において、GaAsSbよりも厚いSiO₂マスクを用いることで、異常成長粒子の密度を下げることができ、最小SS値が550mv/decのTFETsを報告した。本報告では、ウエハ構造/プロセスの改善、PMAの実施を行い特性の改善を図った。