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3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[24p-52A-10]Multi-probe Hall measurements for Ohmic contacts to thin-AlGaN/GaN heterostructures with no two-dimensional electron gas

〇kazuya Uryu¹, Yuchen Deng², Takuma Nanjo³, Masayuki Furuhashi³, Kazuyasu Nishikawa³, Toshi-Kazu Suzuki² (1.ATL, 2.JAIST, 3.Mitsubishi Electric)

Keywords:

thin-AlGaN/GaN,Ohmic contact,multi-probe Hall measuremnt

我々は, 多端子ホール素子を用いてオーミック金属下半導体のシート抵抗, シートキャリア密度, 移動度を評価する手法を提案した. 本研究では二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対して多端子ホール測定を適用し, オーミック金属下における電気的特性を評価した. その結果, オーミック金属下において二次元電子ガスが誘起されていることがわかった.

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