講演情報
[24p-52A-10]二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
〇瓜生 和也1、Deng Yuchen2、南條 拓真3、古橋 壮之3、西川 和康3、鈴木 寿一2 (1.アドバンテスト研、2.北陸先端大、3.三菱電機)
キーワード：
薄層AlGaN/GaN,オーミック接触,多端子ホール測定
我々は, 多端子ホール素子を用いてオーミック金属下半導体のシート抵抗, シートキャリア密度, 移動度を評価する手法を提案した. 本研究では二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対して多端子ホール測定を適用し, オーミック金属下における電気的特性を評価した. その結果, オーミック金属下において二次元電子ガスが誘起されていることがわかった.