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3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24p-52A-11]Measurement of Drift Velocity of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructure

〇(B)Yusuke Wakamoto¹, Takahiko Kawahara², Seki Yoshida², Kozo Makiyama², Ken Nakata², Yoshiaki Nakano¹, Takuya Maeda¹ (1.UTokyo, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd)

Keywords:

drift velocity,AlGaN/GaN,transfer length method

本研究では，AlGaN/GaN ヘテロ接合に対して再成長n⁺GaN コンタクト層を形成したTLMパターンを形成し，パルス電流-電圧測定によってドリフト速度の電界依存性の評価を行った．様々なギャップ長において同様に，低電界領域では比例特性，高電界領域(> 10 kV/cm)ではドリフト速度が鈍り始める特性が得られた．自己発熱の影響が極力抑えられており，かつコンタクト抵抗の影響を排除したことで，速度-電界特性が精度よく測定できたと考えられる．

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