講演情報
[24p-52A-11]AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の測定
〇(B)若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)
キーワード：
ドリフト速度,AlGaN/GaN,transfer length method
本研究では，AlGaN/GaN ヘテロ接合に対して再成長n+GaN コンタクト層を形成したTLMパターンを形成し， パルス電流-電圧測定によってドリフト速度の電界依存性の評価を行った．様々なギャップ長において同様に，低電界領域では比例特性，高電界領域(> 10 kV/cm)ではドリフト速度が鈍り始める特性が得られた．自己発熱の影響が極力抑えられており，かつコンタクト抵抗の影響を排除したことで，速度-電界特性が精度よく測定できたと考えられる．