[24p-52A-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)

[24p-52A-16] Electron state analysis under gate electrode in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇Takuma Nanjo¹, Takashi Imazawa¹, Akira Kiyoi¹, Masayuki Furuhashi¹, Kazuyasu Nishikawa¹, Takashi Egawa² (1.Mitsubishi Electric, 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

GaN HEMT,EID,HAXPES

ノーマリオフ動作する新規のプレーナ型のExtrinsically electron Induced by Dielectric (EID) AlGaN/GaN MOS-HEMTのしきい値電圧を決める要因を調査するために、Hard X-ray Photoelectron spectroscopy (HAXPES)を用いてゲート電極直下の電子状態解析を行なった。その結果、ゲート酸化膜に用いたALDにて堆積したAl₂O₃にも、効果は小さいながらもAlGaN/GaN界面に2DEGを誘起する効果があることがわかった。