講演情報
[24p-52A-16]EID AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート電極直下の電子状態解析
〇南條 拓真1、今澤 貴史1、清井 明1、古橋 壮之1、西川 和康1、江川 孝志2 (1.三菱電機、2.名古屋工業大学)
キーワード：
GaN HEMT,EID,HAXPES
ノーマリオフ動作する新規のプレーナ型のExtrinsically electron Induced by Dielectric (EID) AlGaN/GaN MOS-HEMTのしきい値電圧を決める要因を調査するために、Hard X-ray Photoelectron spectroscopy (HAXPES)を用いてゲート電極直下の電子状態解析を行なった。その結果、ゲート酸化膜に用いたALDにて堆積したAl2O3にも、効果は小さいながらもAlGaN/GaN界面に2DEGを誘起する効果があることがわかった。