[24p-52A-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)

[24p-52A-17] Device Dependence of Failure Process of GaN-HEMTs by Overvoltage Stress

〇Wataru Saito¹, Shin-ichi Nishizawa¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:

GaN-HEMT,Avalanche Breakdown,Failure Process

GaN-HEMTは、高効率な電力変換を実現するパワーデバイスとして実用化が始まっている。しかし、高電圧印加によりアバランシェ降伏が発生すると、素子が破壊するという問題がある。これまでに、繰り返し過電圧ストレス印加試験による過電圧印加時のGaN-HEMTの破壊過程が報告されている。本発表では、過電圧印加時のGaN-HEMTの破壊過程がデバイス構造に依存することについて報告する。