講演情報
[24p-52A-17]GaN-HEMTの過電圧印加時破壊過程のデバイス依存
〇齋藤 渉1、西澤 伸一1 (1.九大応力研)
キーワード：
GaN-HEMT,アバランシェ降伏,破壊過程
GaN-HEMTは、高効率な電力変換を実現するパワーデバイスとして実用化が始まっている。しかし、高電圧印加によりアバランシェ降伏が発生すると、素子が破壊するという問題がある。これまでに、繰り返し過電圧ストレス印加試験による過電圧印加時のGaN-HEMTの破壊過程が報告されている。本発表では、過電圧印加時のGaN-HEMTの破壊過程がデバイス構造に依存することについて報告する。