[24p-52A-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[24p-52A-19] Effects of annealing on electrical properties of n-type GaN films deposited by sputtering

〇Shinji Yamada¹, Manabu Arai¹, Tetsu Kachi¹, Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,Sputtering,Electrical properties

我々はGaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積による低コンタクト形成技術の開発を行っている。これまでに低温成膜(500 °C)においても1 × 10²⁰ cm⁻³を超えるn型キャリア密度が得られたが、ドーピング濃度(1 × 10²¹ cm⁻³)に対するn型活性化率に改善の余地があると考えている。そこで本報告では、GaNスパッタ成膜後の追加のアニール処理によって、キャリア密度等の電気的特性の改善を試みたので報告する。