[24p-52A-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:00 〜 18:15

[24p-52A-19] n型GaNスパッタ膜の電気的特性に対するアニール効果

〇山田 真嗣¹、新井 学¹、加地 徹¹、須田 淳¹ (1.名大)

キーワード：

窒化ガリウム,スパッタリング,電気的特性

我々はGaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積による低コンタクト形成技術の開発を行っている。これまでに低温成膜(500 °C)においても1 × 10²⁰ cm⁻³を超えるn型キャリア密度が得られたが、ドーピング濃度(1 × 10²¹ cm⁻³)に対するn型活性化率に改善の余地があると考えている。そこで本報告では、GaNスパッタ成膜後の追加のアニール処理によって、キャリア密度等の電気的特性の改善を試みたので報告する。