[24p-52A-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[24p-52A-4] Development of Photo Enhanced Chemical (PEC) Etching Process for Fabrication of Millimeter-wave GaN IMPATT Diodes

〇Hiroki Toyoda¹, Seiya Kawasaki¹, Yuta Furusawa², Ryoko Tsukamoto², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

IMPATT diodes,PEC etching

GaN IMPATTダイオードの高周波化には素子の寄生抵抗の低減が重要となるが、従来のメサ型構造では、接合直径の減少に伴いp-GaNへの接触抵抗が増大する。そこで、本研究では光化学(PEC)エッチングの伝導型選択性を用い、p-GaNへの接触面積を維持しつつ、横方向エッチングにより接合直径を減少させる新規作製プロセスを試みた。その結果、PECエッチングによる横方向エッチングが選択的に進行し、GaN p-nダイオードの形状制御が可能であることがわかった。