講演情報
[24p-52A-4]ミリ波GaN IMPATTダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発
〇豊田 拓輝1、川崎 昴也1、古澤 優太2、塚本 涼子2、本田 善央2、天野 浩2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
IMPATTダイオード,PECエッチング
GaN IMPATTダイオードの高周波化には素子の寄生抵抗の低減が重要となるが、従来のメサ型構造では、接合直径の減少に伴いp-GaNへの接触抵抗が増大する。そこで、本研究では光化学(PEC)エッチングの伝導型選択性を用い、p-GaNへの接触面積を維持しつつ、横方向エッチングにより接合直径を減少させる新規作製プロセスを試みた。その結果、PECエッチングによる横方向エッチングが選択的に進行し、GaN p-nダイオードの形状制御が可能であることがわかった。