[24p-61C-8~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24p-61C-12] Increasing the efficiency of 222 nm AlGaN far-UVC LED with polarization-doping layer

〇Harshitha Rangaraju¹, Yuki Nakamura^1,2, Kou Sumishi^1,3, Ajmal Khan¹, Sachie Fujikawa^2,1, Hiroyuki Yaguchi², Akira Endoh³, Hiroki Fujishiro³, Yasushi Iwaisako⁴, Hideki Hirayama¹ (1.RIKEN, 2.Saitama University, 3.Tokyo University of Science, 4.Nippon Tungsten)

Keywords:

AlGaN LED

生体に無害でウイルス不活化に効果の高い220～230nm帯AlGaN系LEDの開発が最近盛んに行われている。特に、人体に有害である 240nm より長波の波長成分を含まない LED を実現するためには LED の短波長化が重要である。しかし、短波長 LED の高効率化は難しく、特に 225 nm以下の波長では高効率化の研究があまり進んでいない。本研究では、波長 222nmLED のｐ型層に分極ドープ構造を導入して LED の高効率化を試みたので報告する。