講演情報
[24p-61C-12]分極ドープ層を用いた 222 nm AlGaN far-UVC LED の高効率化
〇Rangaraju Harshitha1、中村 勇稀1,2、住司 光1,3、Khan Ajmal1、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、遠藤 聡3、藤代 博記3、祝迫 恭4、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大、3.東京理科大、4.日本タングステン)
キーワード：
AlGaN系LED
生体に無害でウイルス不活化に効果の高い220～230nm帯AlGaN系LEDの開発が最近盛んに行われている。特に、人体に有害である 240nm より長波の波長成分を含まない LED を実現するためには LED の短波長化が重要である。しかし、短波長 LED の高効率化は難しく、特に 225 nm以下の波長では高効率化の研究があまり進んでいない。本研究では、波長 222nmLED のｐ型層に分極ドープ構造を導入して LED の高効率化を試みたので報告する。