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4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[24p-61C-8]Correlation between localized emission and growth morphology of AlGaN on sputtered and annealed AlN templates

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Kazuki Saito¹, Ryota Akaike³, Kenjiro Uesugi^3,4, Takao Nakamura⁵, Hideto Miyake⁵, Kazunobu Kojima¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ., 3.ORIP, Mie Univ., 4.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 5.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:

AlGaN,Cathodoluminescence,UV-LED

AlGaN系半導体を用いた、波長220~230 nm付近のUV-LEDは、殺菌用光源として近年高い注目を集めている。とくにRFスパッタ成膜とface-to-face高温アニールを組み合わせたAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)上への高品質AlGaNの成長は、短波長UV-LEDの高効率化にむけて期待が寄せられている。本研究では、FFA Sp-AlNテンプレート上AlGaN特有のナノスケールの表面モフォロジーとバンド端発光挙動の相関を詳細に議論するために、試料同一箇所に対して、原子間力顕微鏡観察とCLマッピング測定を行い、FFA Sp-AlN上のAlGaNの結晶成長機構が発光特性に与える影響について評価したので報告する。

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