講演情報
[24p-61C-8]スパッタアニールAlN上AlGaNにおける局在発光と成長表面の相関評価
〇市川 修平1,2、齊藤 一輝1、赤池 良太3、上杉 謙次郎3,4、中村 孝夫5、三宅 秀人5、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.三重大研究基盤推進機構、4.三重大院地域イノベ、5.三重大院工)
キーワード：
AlGaN,カソードルミネッセンス,UV-LED
AlGaN系半導体を用いた、波長220~230 nm付近のUV-LEDは、殺菌用光源として近年高い注目を集めている。とくにRFスパッタ成膜とface-to-face高温アニールを組み合わせたAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)上への高品質AlGaNの成長は、短波長UV-LEDの高効率化にむけて期待が寄せられている。本研究では、FFA Sp-AlNテンプレート上AlGaN特有のナノスケールの表面モフォロジーとバンド端発光挙動の相関を詳細に議論するために、試料同一箇所に対して、原子間力顕微鏡観察とCLマッピング測定を行い、FFA Sp-AlN上のAlGaNの結晶成長機構が発光特性に与える影響について評価したので報告する。