[24p-71B-1~8] Spintronics Technology: Frontiers of Tunnel Magnetoresistance Research and Memory Applications

1:30 PM - 1:40 PM JST(4:30 AM - 4:40 AM UTC)

[24p-71B-1] Opening

〇Tomohiro Nozaki¹ (1.AIST)

Keywords:

MRAM,non-volatile memory,spintronics

組み込みMRAMの商品化が進むなど、スピントロニクス技術のメモリ応用が新たな局面を迎えつつあります。基礎研究においても、MRAMの中核をなす磁気トンネル接合(MTJ)素子の磁気抵抗比の最大値が15年ぶりに更新されました。本シンポジウムでは、MTJ素子の基礎研究からMRAM応用までの最新動向と今後の展望について議論します。