[24p-71B-1~8] スピントロニクス実用技術：トンネル磁気抵抗研究とメモリ応用の最前線

13:30 〜 13:40

[24p-71B-1] オープニング

〇野崎 友大¹ (1.産総研)

キーワード：

MRAM,不揮発メモリ,スピントロニクス

組み込みMRAMの商品化が進むなど、スピントロニクス技術のメモリ応用が新たな局面を迎えつつあります。基礎研究においても、MRAMの中核をなす磁気トンネル接合(MTJ)素子の磁気抵抗比の最大値が15年ぶりに更新されました。本シンポジウムでは、MTJ素子の基礎研究からMRAM応用までの最新動向と今後の展望について議論します。