[24p-71B-1~8] Spintronics Technology: Frontiers of Tunnel Magnetoresistance Research and Memory Applications

2:10 PM - 2:40 PM JST(5:10 AM - 5:40 AM UTC)

[24p-71B-3] Observation of room temperature giant tunnel magnetoresistance of 631%

〇Hiroaki Sukegawa¹, Thomas Scheike¹, Zhenchao Wen¹, Seiji Mitani¹ (1.NIMS)

Keywords:

spintronics,magnetic tunnel junction,tunnel magnetoresistance effect

単結晶多層膜構造により最大で631%の巨大な室温トンネル磁気抵抗比（TMR比）を達成したことを報告する。CoFe/MgO/CoFe(001)型の積層を持つ強磁性トンネル接合を開発しその界面構造を改善することによってTMR比の向上が達成された。また、MgO膜厚に対してTMRが振動する現象も顕著になることも分かった。本講演では上記素子の開発の詳細や強磁性トンネル接合の将来についても議論する。