[24p-71B-1~8] スピントロニクス実用技術：トンネル磁気抵抗研究とメモリ応用の最前線

14:10 〜 14:40

[24p-71B-3] 巨大室温トンネル磁気抵抗比631%の観測

〇介川 裕章¹、Scheike Thomas¹、Wen Zhenchao¹、三谷 誠司¹ (1.NIMS)

キーワード：

スピントロニクス,強磁性トンネル接合,トンネル磁気抵抗効果

単結晶多層膜構造により最大で631%の巨大な室温トンネル磁気抵抗比（TMR比）を達成したことを報告する。CoFe/MgO/CoFe(001)型の積層を持つ強磁性トンネル接合を開発しその界面構造を改善することによってTMR比の向上が達成された。また、MgO膜厚に対してTMRが振動する現象も顕著になることも分かった。本講演では上記素子の開発の詳細や強磁性トンネル接合の将来についても議論する。