[24p-P08-1~9] 8.1 Plasma production and diagnostics

[24p-P08-2] Diagnosis of RF Low Pressure Tetraethoxysilane Plasma for SiO₂ Deposition
Measurement of Incident Radical and Positive Ion Species to the Substrate

〇Toshizo Nara¹, Tatuya Takiguti², Akinori Oda² (1.Chiba Institute of Technology M.S., 2.Chiba Institute of Technology Univ.)

Keywords:

Plasma,mass spectrometry

半導体で使われる金属間絶縁膜では，SiO₂膜がよく用いられている。膜堆積においてはプラズマ支援化学気相成長法が用いられており，その原料ガスはテトラエトキシシランガスが多く使用されている。しかし，TEOSプラズマの基礎特性などに着目した報告例が少ない状況である。本研究では，TEOSプラズマの基礎特性およびプラズマ生成における外部パラメータ依存性について調査したので，その結果を報告する。