[24p-P08-1~9] 8.1 プラズマ生成・診断

[24p-P08-2] SiO₂成膜を目的としたRF低圧テトラエトキシシランプラズマの診断
基板への入射ラジカル種および正イオン種の計測

〇奈良 歳三¹、滝口 達也²、小田 昭紀² (1.千葉工大院工、2.千葉工大)

キーワード：

プラズマ,質量分析

半導体で使われる金属間絶縁膜では，SiO₂膜がよく用いられている。膜堆積においてはプラズマ支援化学気相成長法が用いられており，その原料ガスはテトラエトキシシランガスが多く使用されている。しかし，TEOSプラズマの基礎特性などに着目した報告例が少ない状況である。本研究では，TEOSプラズマの基礎特性およびプラズマ生成における外部パラメータ依存性について調査したので，その結果を報告する。