Presentation Information
[24p-P13-1]Study on Silicidation Reaction of Ultrathin Ni-Films with SiH4
〇Shun Tanida1, Keisuke Kimura1, Noriyuki Taoka2, Katsunori Makihara1, Seiichi Miyazaki1 (1.Nagoya Univ., 2.Aichi Inst. Tech.)
Keywords:
silicide,thin film
近年、SiO2上に形成した極薄シリサイド薄膜は、分子センサ応用が可能なことから注目されている。これまでに我々は、SiO2熱酸化膜上に室温形成したNi/a-Si超薄膜を600˚Cで熱処理することで、総膜厚~5.0nmでは平坦なNi2Si薄膜が形成できることを報告してきた。本研究では、厚さ~5.0nmの極薄Ni膜へのSiH4照射によるNiシリサイド超薄膜の形成を試みた。