講演情報
[24p-P13-1]Ni超薄膜へのSiH4照射によるシリサイド化反応制御
〇谷田 駿1、木村 圭祐1、田岡 紀之2、牧原 克典1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工、2.愛工大)
キーワード：
シリサイド,薄膜
近年、SiO2上に形成した極薄シリサイド薄膜は、分子センサ応用が可能なことから注目されている。これまでに我々は、SiO2熱酸化膜上に室温形成したNi/a-Si超薄膜を600˚Cで熱処理することで、総膜厚~5.0nmでは平坦なNi2Si薄膜が形成できることを報告してきた。本研究では、厚さ~5.0nmの極薄Ni膜へのSiH4照射によるNiシリサイド超薄膜の形成を試みた。