Presentation Information
[24p-P16-12]Effects of the annealing temperature during the fabrication on the structure of ZnGa2O4 thin films
〇(B)Reiya Kase1, Takayuki Nakane2, Takashi Naka2, Satoshi Ishii1 (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS)
Keywords:
ZnGa2O4,Oxygen vacancy
水熱合成したZnGa2O4（ZGO）のナノ粒子を用いて薄膜を作製し，XPSとXRDにより評価した．薄膜化で実施するアニールの温度を高くすると酸素欠損の割合が増加し，XRDピークの線幅は狭くなった．このことから，以前報告したアニール温度の上昇による暗電流の低減には，酸素欠損に起因した結晶性の向上が影響していることが考えられる．