講演情報

[24p-P16-12]ZnGa2O4薄膜の構造に作製時のアニール温度が及ぼす影響

〇(B)加瀬 伶也1、中根 茂行2、名嘉 節2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.物材機構)

キーワード:

ZnGa2O4,酸素欠損

水熱合成したZnGa2O4(ZGO)のナノ粒子を用いて薄膜を作製し,XPSとXRDにより評価した.薄膜化で実施するアニールの温度を高くすると酸素欠損の割合が増加し,XRDピークの線幅は狭くなった.このことから,以前報告したアニール温度の上昇による暗電流の低減には,酸素欠損に起因した結晶性の向上が影響していることが考えられる.