Presentation Information
[24p-P16-20]Changes in Electrical Properties of GZO Films Sputtered by Mg-Doped Target
〇Shugo Abe1, Kotaro Tsuchie1, Shuhei Funaki1, Yasuji Yamada1 (1.Shimane Univ.)
Keywords:
semiconductor,GZO
Ga添加ZnO(GZO)にZnを添加した粉末ターゲットを用いたスパッタ法により、GZO膜が低抵抗率化することが分かっている。本研究では、Zn添加GZOにさらにMgを添加した粉末ターゲットを用いてGZO膜を作製し、電気特性を検証した。Mg添加により、結晶粒界のポテンシャルバリアが低減することで移動度が向上すると期待したが、反対に移動度が低下した。また、Mg添加したターゲットでは成膜の回数を重ねるにつれてGZO膜の抵抗率が高くなった。