[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-20] Mg添加ターゲットによるスパッタGZO膜の電気特性変化

〇阿部秀悟 秀悟¹、土江 晃太郎¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大)

キーワード：

半導体,GZO

Ga添加ZnO(GZO)にZnを添加した粉末ターゲットを用いたスパッタ法により、GZO膜が低抵抗率化することが分かっている。本研究では、Zn添加GZOにさらにMgを添加した粉末ターゲットを用いてGZO膜を作製し、電気特性を検証した。Mg添加により、結晶粒界のポテンシャルバリアが低減することで移動度が向上すると期待したが、反対に移動度が低下した。また、Mg添加したターゲットでは成膜の回数を重ねるにつれてGZO膜の抵抗率が高くなった。