Presentation Information
[24p-P16-30]Fabrication and Characterization of Indium Oxide Thin-Film Transistors using Aqueous Precursor Solution and Excimer Light
〇(M1)Ryosuke Kasahara1, Takeaki Komai1, Hideo Wada1, Masatoshi Koyama1, Akihiko Fujii1, Akihiro Shimizu2, Noritaka Takezoe2, Shion Yamaguchi2, Hiroyasu Ito2, Toshihiko Maemoto1 (1.NMRC, Osaka Inst. of Tech., 2.Ushio Inc.)
Keywords:
Metal Oxide Semiconductor,Indium Oxide,Thin Film Transistor
我々はこれまで，炭素を含まない水溶液ベースの前駆体溶液とエキシマ光を組み合わせた溶液法により，トップゲート型In2O3薄膜トランジスタを作製し，諸特性を評価してきた．最高プロセス温度200℃で，伝達特性において，2.4×104のOn/Off比が得られている．今回はさらなる特性の向上のため，より高温で熱処理を行い，結晶性や伝達特性を評価したのでそれらの結果について報告する．