[25a-12J-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25a-12J-3] Operand Lab._HAXPES Evaluation of MOS Structure with Different Dopant Concentrations in the Substrate.

〇Takuya Minowa¹, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL)

Keywords:

Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,HAXPES,Applied Bias

HAXPESは埋もれた界面を非破壊で評価可能な上、電圧印加オペランド測定を組み合わせて疑似的なデバイス動作時を再現した評価が可能となる。しかし、未だピークシフトの印加電圧依存性とバンド構造との関係の解明は不十分である。本研究では素子動作の理解に最も重要かつ基本である電圧印加下での界面状態の理解を目的として、基板不純物濃度が異なる試料をLab. HAXPESで測定しその解釈を試みたので報告する。