講演情報
[25a-12J-3]実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定による異なる不純物濃度基板を用いたMOS構造の評価
〇箕輪 卓哉1、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL)
キーワード：
硬X線光電子分光法,HAXPES,電圧印加
HAXPESは埋もれた界面を非破壊で評価可能な上、電圧印加オペランド測定を組み合わせて疑似的なデバイス動作時を再現した評価が可能となる。しかし、未だピークシフトの印加電圧依存性とバンド構造との関係の解明は不十分である。本研究では素子動作の理解に最も重要かつ基本である電圧印加下での界面状態の理解を目的として、基板不純物濃度が異なる試料をLab. HAXPESで測定しその解釈を試みたので報告する。