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11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[25a-12K-7]Study on mask materials for GaN nanowire fabrication using contactless PEC etching

〇Hisahiro Furuuchi^1,2, Junichi Motohisa^1,2, Taketomo Sato^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE Hokkaido Univ.)

GaN nanowire

光支援化学(PEC)エッチングはGaNの低損傷加工プロセスである。今回基板への配線不要なコンタクトレスPECエッチング、アルカリ溶液による側面のエッチングによりGaNナノワイヤの作製をする際の、マスク材料(Ti、Cr)による差について検討したので報告する。