Presentation Information
[25a-1BJ-10]Ferroelectricity Development with Crystallographic Phase Transformation in Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films upon Initial Stimulation of an Electric Field Exceeding the Coercive Field
〇Yukinori Morita1, Takashi Onaya2, Shutaro Asanuma1, Hiroyuki Ota1, Shinji Migita1 (1.AIST, 2.The Univ. of Tokyo)
Keywords:
Ferroelectricity,HfO2,Crystal structure
強誘電性HfZrO (HZO)薄膜キャパシタに対して印可される電界の影響については、数百〜数千サイクルの電圧印加で残留分極が増加するwake-up、およびサイクルを更に増加させた際に残留分極量が減少する疲労現象が指摘されている。それに対し最初の1回の電界印加によっても、HZOの電気的特性などの変化が発生する。我々はこの最初の電界印加について、電気的特性と結びついた結晶構造の変化を調査した。