講演情報
[25a-1BJ-10]抗電界を超える最初の電界印加によるHf0.5Zr0.5O2薄膜の強誘電特性誘起
〇森田 行則1、女屋 崇2、浅沼 周太郎1、太田 裕之1、右田 真司1 (1.産総研、2.東大)
キーワード：
強誘電体,HfO2,結晶構造
強誘電性HfZrO (HZO)薄膜キャパシタに対して印可される電界の影響については、数百〜数千サイクルの電圧印加で残留分極が増加するwake-up、およびサイクルを更に増加させた際に残留分極量が減少する疲労現象が指摘されている。それに対し最初の1回の電界印加によっても、HZOの電気的特性などの変化が発生する。我々はこの最初の電界印加について、電気的特性と結びついた結晶構造の変化を調査した。