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[25a-1BJ-5]Investigation of ferroelectric HfN formation on Si(100) by Kr/N2-plasma sputtering
〇(B)Sekiguchi Yuki1, Kangbai Li1, Ide Akinori1, Hamada Kaimu1, Ohmi Shun-ichiro1 (1.Tokyo Inst.)
Keywords:
Ferroelectric,Hafnium nitride,krypton
我々は、強誘電性を示すHfNのSi基板上への形成に関する検討を行っている。Ar/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により、菱面体晶系に結晶化し、強誘電性を有するFe-HfNの形成を報告している。しかし、作製したMFSFETのメモリウィンドウ(MW)が課題となっている。今回、Kr/N2プラズマを用いてHfN薄膜を形成することにより、スパッタダメージを低減し、HfN薄膜の強誘電性向上に関する検討を行ったので報告する。