講演情報
[25a-1BJ-5]Kr/N2プラズマによる強誘電性HfN薄膜のSi(100)基板上への形成
〇(B)関口 侑希1、Kangbai Li1、井出 明徳1、濱田 海夢1、大見 俊一郎1 (1.東工大 工学院)
キーワード：
強誘電体,窒化ハフニウム,クリプトンプラズマ
我々は、強誘電性を示すHfNのSi基板上への形成に関する検討を行っている。Ar/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により、菱面体晶系に結晶化し、強誘電性を有するFe-HfNの形成を報告している。しかし、作製したMFSFETのメモリウィンドウ(MW)が課題となっている。今回、Kr/N2プラズマを用いてHfN薄膜を形成することにより、スパッタダメージを低減し、HfN薄膜の強誘電性向上に関する検討を行ったので報告する。