Presentation Information
[25a-21C-4]Dependence of GaN thin films on misoriented sapphire substrates using ECR plasma assisted sputtering method
〇HIRONORI TORII1,2, Shinsuke Matsui2 (1.JSW AFTY Corporation, 2.Chiba Institute of Tech.)
Keywords:
GaN,Sputtering,ECR
ECRプラズマアシストスパッタ法で、m面方向にオフ角度を有したサファイア基板上にGaN薄膜を形成し表面平坦性、結晶性、極性を評価した。膜厚500 nm堆積したGaN薄膜の表面平坦性Sqはジャスト基板では0.91 nmであったが、3度オフでは0.22 nm 、10度オフでは0.29 nmと改善し、オフ角を付けることによって原子ステップが確認された。TOFLAS法で極性判定を行ったところ、サファイアのオフ角に依存せずN極性であった。