講演情報
[25a-21C-4]ECRプラズマアシストスパッタ法を使用したGaN薄膜のサファイアオフ角依存性
〇鳥居 博典1,2、松井 伸介2 (1.JSWアフティ株式会社、2.千葉工業大学)
キーワード：
GaN,スパッタ,ECR
ECRプラズマアシストスパッタ法で、m面方向にオフ角度を有したサファイア基板上にGaN薄膜を形成し表面平坦性、結晶性、極性を評価した。膜厚500 nm堆積したGaN薄膜の表面平坦性Sqはジャスト基板では0.91 nmであったが、3度オフでは0.22 nm 、10度オフでは0.29 nmと改善し、オフ角を付けることによって原子ステップが確認された。TOFLAS法で極性判定を行ったところ、サファイアのオフ角に依存せずN極性であった。