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10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[25a-21C-5]Thickness Dependence on Crystallinity of (1122) AlN Fabricated by Sputtering and Annealing Method

〇Ryota Akaike¹, Daiki Kobayashi², Takao Nakamura^3,4, Hideto Miyake⁴ (1.ORIP, Mie Univ., 2.Fac. of Eng., Mie Univ., 3.MRPCO, Mie Univ., 4.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:

AlN,sputtering,semipolar

高Al組成AlGaNは偏光方向がc軸平行方向となるため、従来のc面上ではなく非極性面上へのLED作製により光取り出し効率の向上が期待されている。我々はRFスパッタ成膜とface-to-face配置での高温アニールにより、c面サファイア基板上に低転位密度のAlN（FFA Sp-AlN）の作製に成功してきた。また、スパッタ成膜温度の制御により、m面サファイア基板上に作製したAlNの面方位を制御できることを報告してきた。本研究では非極性面FFA Sp-AlN、特に(11-22)面が支配的な面方位となるFFA Sp-AlNについて、スパッタAlNの膜厚による結晶性への影響をX線回折及びAFMで評価した。

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