講演情報
[25a-21C-5]スパッタ・アニール法作製(1122)面AlNにおける結晶性の膜厚依存性
〇赤池 良太1、小林 大樹2、中村 孝夫3,4、三宅 秀人4 (1.三重大研基機構、2.三重大工、3.三重大未来図、4.三重大院工)
キーワード：
AlN,スパッタリング,半極性
高Al組成AlGaNは偏光方向がc軸平行方向となるため、従来のc面上ではなく非極性面上へのLED作製により光取り出し効率の向上が期待されている。我々はRFスパッタ成膜とface-to-face配置での高温アニールにより、c面サファイア基板上に低転位密度のAlN（FFA Sp-AlN）の作製に成功してきた。また、スパッタ成膜温度の制御により、m面サファイア基板上に作製したAlNの面方位を制御できることを報告してきた。本研究では非極性面FFA Sp-AlN、特に(11-22)面が支配的な面方位となるFFA Sp-AlNについて、スパッタAlNの膜厚による結晶性への影響をX線回折及びAFMで評価した。