Presentation Information
[25a-21C-6]Fabrication and characterization of Si-doped GaN films by sputtering
〇Koo Bando1, Misaki Hidehiko1, Kano Erisa1, Ueoka Yoshihiro1, Masami Mesuda1 (1.Tosoh Corporation)
Keywords:
Gallium Nitride,sputtering method,semiconductor
スパッタ法を用いたGaNの成膜法は、低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。東ソーでは、独自の焼結技術による高密度・低酸素なGaNターゲットを開発しており、これまでにスパッタGaN薄膜上にてHEMTデバイスが駆動することを報告している。また以前の発表にて、新たに開発したSi含有GaNターゲットにより低抵抗なn型GaN薄膜が作製可能であることを報告した。本検討では、n型GaN薄膜作製プロセスのさらなる低温化について検討した結果を報告する。